セミナー概要
【開催日時】
2025年02月07日(金) 13:30 – 15:30
【講 師】
筑波大学
数理物質系
教授
岩室 憲幸 氏
【受講方法】
会場受講
ライブ配信
アーカイブ配信
【会 場】
港区南麻布/JPIカンファレンススクエア
【講義概要】
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展
しており、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品で
あるパワー半導体は新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。
しかし現状はシリコンパワー半導体が、いまだ市場の主役に君臨してい
る。これはとりもなおさず新材料パワー半導体デバイスの性能、信頼性、
さらには価格が市場の要求に十分こたえられていないことによる。SiC
パワー半導体が今後市場の要求にどうこたえていくのか、最新技術の現
状と今後の動向について、わかりやすくかつ丁寧に詳説する。
【講義項目】
1．パワー半導体の基本
(1) 最強シリコンパワー半導体：強みと弱み
(2) 次世代パワー半導体開発の位置づけ
2. SiCパワー半導体の現状と課題
(1) なぜSiCが新材料パワー半導体でトップランナーなのか
(2) SiCパワー半導体コストダウンに向けた技術開発
① ウェハ技術
② デバイス技術
(3) SiCパワー半導体信頼性の重要課題：内蔵ダイオード順方向劣化
(4) SiCパワー半導体用実装技術の進展
3．関連質疑応答
4．名刺交換・交流会
【受 講 料】
1名 ：35,400円(税込)
2名以降：30,400円(社内・関連会社で同時お申し込みの場合)
※セミナー情報は、更新されているケース、登録情報が誤っているケースもあるため、公式サイトで正確な情報をご確認ください。
セミナー開催情報
セミナー分類
- ジャンル 技術、生産、品質管理 環境、リサイクル 経営戦略、事業戦略
- 対象職種
- 対象業種 建設、工事 自動車 製造業
- 対象者
セミナー基本情報
- セミナー形態リアル（オフライン）
- セミナー定員 25人
- セミナー費用 35,400円
- セミナー主催企業名 JPI日本計画研究所
セミナー講師情報
- 講師名筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
- 講師プロフィール1984年 早稲田大学理工学部卒 1998年 博士（工学）（早稲田大学） 1984年 富士電機製造株式会社（現富士電機株式会社）入社 1988年 シリコンIGBTの製品開発に従事 1992年-1993年 米国ノースカロライナ州立大学 客員研究員 2009年 産業技術総合研究所 SiCパワー半導体の製品開発に従事 2013年 筑波大学 数理物質系 教授 現在に至る
セミナー日程
- セミナー開催日 2025年2月7日
- セミナー開催時間13:30 - 15:30
- セミナー応募締切日 2025年2月6日
セミナー開催地
- セミナー開催地住所 東京都 港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル
- セミナー開催地交通・アクセスJPIカンファレンススクエア TEL:03-5793-9761 https://www.jpi.co.jp/access ■ 東京地下鉄（東京メトロ）日比谷線 広尾駅 3番出口 徒歩3分（２５０歩） ●３番出口を出て右手、西麻布方面に進み、最初の信号の先の赤レンガのビル。 ●１階に輸入車のショールームがあり、ビルの中央に入り口。
※セミナー情報は、更新されているケース、登録情報が誤っているケースもあるため、公式サイトで正確な情報をご確認ください。
